PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)_PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)型号_光电器件参数,价格-科通芯城100%正品保证

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光电器件

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)511 SSD(可控硅输出光电耦合器)162

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQW214EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW214EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW214S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW214SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW214SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能半导体ＳＯ封装２a型	SOP8	75mW
AQW215	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW215A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW215AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW216EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW216EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！	DIP8	75mW
AQW217	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW217A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW217AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW217AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能与经济性兼顾的Photo MOS2a型！	DIP8	75mW
AQW223R2S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	降低了负载电压250V时导通电阻及输出端子间容量的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ2a型	SOP8	75mW
AQW224N	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了高速动作，低漏电流，低导通电阻的Photo MOS的2a型！	DIP8	75mW

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