PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)_PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)型号_光电器件参数,价格-科通芯城100%正品保证

首页> 产品> 光电器件> PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)

光电器件

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)511 SSD(可控硅输出光电耦合器)162

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV201	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV201A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV201AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV201AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV202	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV202A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV202AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV202AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV203	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV203A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV204	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV204A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了低通导电阻的高性能Photo MOS	DIP6	150mW
AQV210	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV210A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV210AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV210E	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EAZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW
AQV210EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的低成本Photo MOS	DIP6	75mW

显示 20条/共511条

< 上一页 1 2 ... 7 8 9 10 11 ... 25 26 下一页 >