AQS225R2SZPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

首页> 产品> 光电器件> PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)> AQS225R2SZ

AQS225R2SZ

我要询价

参数

参数	数值
动作时间(平均)	0.04ms
LED压降(最大)	1.5V
导通电阻(最大)	15 ohm
复位LED电流(最小)	0.3mA
最大允许LED电流	50mA
复位时间(平均)	0.07ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
耐电压	1500V AC
全部允许损耗	650mW
国外标准	-
使用环境温度	-40℃～+85℃
LED压降(平均)	1.25V
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
复位LED电流(平均)	0.85mA
开路状态漏电流(最大)	10nA
输出端子间容量(平均)	4.5 pF
保存温度	-40℃～+100℃
端子形状	Surface-Mount
部允许损耗	75mW
连续负载电流	0.07A
订货产品号	AQS225R2SZ
触点结构	4a
负载电压	80 V
最大正向电流	1A
导通电阻(平均)	10.5 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
LED反向电压	5V
动作LED电流(平均)	0.9mA
包装方式	tape and reel packing(Z)
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
封装	SOP16
特点	负载电压80V，低CXR型的Photo MOS浓缩为超小型SO封装(4a输出)