AQW612SXPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQW612SX

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参数

参数	数值
导通电阻(最大)	2.5 ohm
部允许损耗	75mW
触点结构	1a1b
封装	SOP8
输出端子间容量(平均)	80 pF(N.O.) 500 pF(N.C.)
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
LED反向电压	5V
复位LED电流(最小)	0.4mA
包装方式	tape and reel packing(X)
动作时间(平均)	0.65ms(N.O.),0.9ms(N.C.)
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
耐电压	1500V AC
订货产品号	AQW612SX
复位时间(平均)	0.08ms(N.O.),0.2ms(N.C.)
动作LED电流(最大)	3mA
端子形状	Surface-Mount
使用环境温度	-40℃～+85℃
动作LED电流(平均)	0.9mA
保存温度	-40℃～+100℃
连续负载电流	0.45A
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
复位LED电流(平均)	0.8mA
导通电阻(平均)	1 ohm
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
最大允许LED电流	50mA
LED压降(最大)	1.5V
负载电压	60 V
全部允许损耗	650mW
国外标准	UL, C-UL, VDE
最大正向电流	1A
特点	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型