AQY211EHAZPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQY211EHAZ

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参数

参数	数值
复位LED电流(平均)	1.1mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
订货产品号	AQY211EHAZ
保存温度	-40℃～+100℃
最大正向电流	1A
负载电压	30 V
复位时间(平均)	0.1ms
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(最小)	0.4mA
部允许损耗	75mW
动作时间(平均)	1.5ms
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	0.5 ohm
LED压降(平均)	1.25V
开路状态漏电流(最大)	1μA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
封装	DIP4
LED压降(最大)	1.5V
国外标准	UL, C-UL
特点	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS
端子形状	Surface-Mount
耐电压	5000V AC
连续负载电流	1A
输出端子间容量(平均)	240 pF
导通电阻(平均)	0.25 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
LED反向电压	5V
触点结构	1a
动作LED电流(平均)	1.2mA
全部允许损耗	550mW
包装方式	tape and reel packing(Z)
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF