AQV212SPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQV212S

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参数

参数	数值
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
复位时间(平均)	0.08ms
开路状态漏电流(最大)	1μA
部允许损耗	75mW
特点	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ
LED压降(最大)	1.5V
触点结构	1a
负载电压	60 V
导通电阻(平均)	0.83 ohm
复位LED电流(平均)	0.65mA
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
使用环境温度	-40℃～+85℃
导通电阻(最大)	2.5 ohm
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
保存温度	-40℃～+100℃
最大正向电流	1A
动作时间(平均)	0.65ms
耐电压	1500V AC
连续负载电流	0.5A
输出端子间容量(平均)	80 pF
订货产品号	AQV212S
动作LED电流(最大)	3mA
最大允许LED电流	50mA
动作LED电流(平均)	0.7mA
全部允许损耗	500mW
国外标准	UL, C-UL
包装方式	Tube packing
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
封装	SOP6
端子形状	Surface-Mount