AQV214AXPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQV214AX

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参数

参数	数值
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
封装	DIP6
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	tape and reel packing(X)
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
订货产品号	AQV214AX
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	45 pF
全部允许损耗	550mW
动作LED电流(平均)	1mA
复位时间(平均)	0.05ms
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
耐电压	1500V AC
复位LED电流(平均)	0.79mA
导通电阻(平均)	30 ohm
动作LED电流(最大)	3mA
导通电阻(最大)	50 ohm
使用环境温度	-40℃～+85℃
触点结构	1a
负载电压	400 V
动作时间(平均)	0.21ms
保存温度	-40℃～+100℃
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
最大允许LED电流	50mA
LED压降(最大)	1.5V
最大正向电流	1A
端子形状	Surface-Mount