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类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
AQV227N
- 品牌：Panasonic
- 包装：Tube packing
- 无铅情况/ROHS: 无铅
- 经营商：博迪通信
- 描述：RF 1a 低导通电阻(6in)
- 封装：DIP6
- 类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 部允许损耗 | 75mW |
| 导通电阻(平均) | 30 ohm |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| LED反向电压 | 5V |
| 触点结构 | 1a |
| 动作LED电流(平均) | 0.9mA |
| 国外标准 | UL, C-UL |
| 包装方式 | Tube packing |
| 动作时间(平均) | 0.2ms |
| 输入/输出间端子容量(平均) | 0.8pF |
| 保存温度 | -40℃～+100℃ |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) | 1000 M ohm |
| 推荐动作条件(输入LED电流) | 5mA |
| 最大允许LED电流 | 50mA |
| LED压降(最大) | 1.5V |
| 特点 | 实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS |
| 端子形状 | Through Hole |
| 连续负载电流 | 0.07A |
| 输出端子间容量(平均) | 10 pF |
| 导通电阻(最大) | 50 ohm |
| 最大正向电流 | 1A |
| 耐电压 | 1500V AC |
| 订货产品号 | AQV227N |
| 开路状态漏电流(最大) | 10nA |
| 复位LED电流(平均) | 0.85mA |
| 输入/输出间端子容量(最大) | 1.5pF |
| 复位时间(平均) | 0.08ms |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA |
| 使用环境温度 | -40℃～+85℃ |
| 负载电压 | 200 V |
| 全部允许损耗 | 410mW |
| 封装 | DIP6 |
