AQW610EHAZ
- 品牌：Panasonic
- 包装：tape and reel packing(Z)
- 无铅情况/ROHS: 无铅
- 经营商：协诺通信
- 描述：GE 1a1b
- 封装：DIP8
- 类别：PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 导通电阻(最大) | 25 ohm |
| 最大正向电流 | 1A |
| 输出端子间容量(平均) | 45 pF(N.O.),100 pF(N.C.) |
| 连续负载电流 | 0.12A |
| 部允许损耗 | 75mW |
| 耐电压 | 5000V AC |
| 特点 | 实现了经济价格的低成本Photo MOS1ａ１ｂ型！ |
| 动作时间(平均) | 0.5ms(N.O.),1ms(N.C.) |
| 使用环境温度 | -40℃～+85℃ |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) | 1000 M ohm |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA |
| LED压降(平均) | 1.25V |
| 复位时间(平均) | 0.08ms(N.O.),0.3ms(N.C.) |
| 输入/输出间端子容量(最大) | 1.5pF |
| 推荐动作条件(输入LED电流) | 5-10mA |
| 复位LED电流(平均) | 1.3mA |
| 订货产品号 | AQW610EHAZ |
| 保存温度 | -40℃～+100℃ |
| 开路状态漏电流(最大) | 1μA(N.O.),10μA(N.C.) |
| 最大允许LED电流 | 50mA |
| 触点结构 | 1a1b |
| LED压降(最大) | 1.5V |
| 全部允许损耗 | 850mW |
| 国外标准 | UL, C-UL, BSI |
| 封装 | DIP8 |
| 端子形状 | Surface-Mount |
| 导通电阻(平均) | 18 ohm |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| LED反向电压 | 5V |
| 动作LED电流(平均) | 1.4mA |
| 负载电压 | 350 V |
| 包装方式 | tape and reel packing(Z) |
| 输入/输出间端子容量(平均) | 0.8pF |
