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交错内存

　　内存交错是用来提高内存性能的一种技术，它使内存各个面的刷新时钟信号与读写时钟信号能够交错出现，实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。　　

　　内存交错功能可并行阅读大内存芯片，减小内存访问时间。内存交错功能最多可并行访问单CPU 内存板上的 32 个内存芯片。

　　1、MVP3 or MVP3G， Labeled“VT82C598”

　　2、MVP4， labeled “VT82C501”

　　3、Apollo Pro，Apollo Pro Plus，Apollo Pro133，Apollo Pro133A；Labeled“VT82C691”or“VT82C693”or“VT82C693A”or“VT82C694X”

　　4、KX133， Labeled “VT8371”

　　5、KT133， Labeled “VT8363”

　　内存交错运行模式主要有2路交错（2-Bank Interleave）和4路交错（4-Bank Interleave）两种。出于保证系统稳定的考虑，很多基于VIA芯片组的主板在默认情况下关闭了内存交错模式或默认最多以2路方式来运行。进行内存性能的优化时，可在BIOS中通过简单设置将其打开激活。

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