PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)_PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)型号_光电器件参数,价格-科通芯城100%正品保证

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光电器件

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)511 SSD(可控硅输出光电耦合器)162

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV216SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV216SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV217	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV217A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV217AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！	DIP6	75mW
AQV217S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV217SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV217SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	通过将超微细加工技术和最新半导体技术相融合，实现了小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV221	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV221A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV221AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV221AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV224N	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV224NA	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV224NAX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了高速动作，低漏电流以及低导通电阻的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV224NS	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV224NSX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV224NSZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP6	75mW
AQV225	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW
AQV225A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	可控制高频信号的Photo MOS最适合进行视频信号，高速脉冲的控制	DIP6	75mW

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