PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)_PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)型号_光电器件参数,价格-科通芯城100%正品保证

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光电器件

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)511 SSD(可控硅输出光电耦合器)162

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQV253	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV253A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV253AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV253H	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV253HA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV253HAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254AX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254H	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254HA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254HAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV254HAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV255	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV255A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV255AZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV255GS	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	在高容量型6脚SOP尺寸上实现了1.25A负载电流的通断	SOP6	75mW
AQV257	-40℃～+100℃	1500V AC	Through Hole	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW
AQV257A	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	低导通电阻与经济性兼顾，品种丰富的Photo MOS	DIP6	75mW

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