AQV214PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQV214

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参数

参数	数值
动作LED电流(平均)	1mA
封装	DIP6
国外标准	UL, C-UL
复位LED电流(最小)	0.4mA
最大允许LED电流	50mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
包装方式	Tube packing
全部允许损耗	550mW
部允许损耗	75mW
触点结构	1a
LED反向电压	5V
动作LED电流(最大)	3mA
复位时间(平均)	0.05ms
导通电阻(平均)	30 ohm
复位LED电流(平均)	0.79mA
订货产品号	AQV214
耐电压	1500V AC
连续负载电流	0.12A
导通电阻(最大)	50 ohm
负载电压	400 V
最大正向电流	1A
动作时间(平均)	0.21ms
保存温度	-40℃～+100℃
输出端子间容量(平均)	45 pF
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
推荐动作条件(输入LED电流)	5mA
LED压降(平均)	1.25V
使用环境温度	-40℃～+85℃
LED压降(最大)	1.5V
特点	高性能和高可靠性的Photo MOS，同时还具备很好的经济性！
端子形状	Through Hole