AQY214EHPhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)光电器件规格参数,数据手册,采购询价,图片-科通芯城100%正品保证

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AQY214EH

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参数

参数	数值
耐电压	5000V AC
动作LED电流(平均)	1.2mA
导通电阻(最大)	35 ohm
LED反向电压	5V
LED压降(平均)	1.25V
复位时间(平均)	0.08ms
导通电阻(平均)	26 ohm
开路状态漏电流(最大)	1μA
输出端子间容量(平均)	45 pF
包装方式	Tube packing
特点	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS
复位LED电流(最小)	0.4mA
输入/输出间端子容量(最大)	1.5pF
推荐动作条件(输入LED电流)	5-10mA
复位LED电流(平均)	1.1mA
连续负载电流	0.12A
部允许损耗	75mW
保存温度	-40℃～+100℃
动作时间(平均)	0.5ms
输入/输出间端子容量(平均)	0.8pF
输入/输出绝缘电阻(最小)	1000 M ohm
动作LED电流(最大)	3mA
使用环境温度	-40℃～+85℃
触点结构	1a
全部允许损耗	550mW
封装	DIP4
端子形状	Through Hole
订货产品号	AQY214EH
最大允许LED电流	50mA
LED压降(最大)	1.5V
负载电压	400 V
国外标准	UL, C-UL, BSI
最大正向电流	1A