PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)_PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)型号_光电器件参数,价格-科通芯城100%正品保证

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光电器件

PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)511 SSD(可控硅输出光电耦合器)162

型号	保存温度	耐电压	端子形状	特点	封装	部允许损耗
AQW227NS	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP8	75mW
AQW227NSX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP8	75mW
AQW227NSZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	兼备高速动作，低漏电流以及低导通电阻的小型ＰｈｏｔｏＭＯＳ	SOP8	75mW
AQW414EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW414EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS２ｂ型！	DIP8	75mW
AQW414SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	-	SOP8	75mW
AQW610EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW610SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQW612EHAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW612EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的低成本类Photo MOS1ａ１ｂ型！	DIP8	75mW
AQW612SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQW612SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	实现了超小型化的高性能Photo MOSSO封装1a1b型	SOP8	75mW
AQY210HLAX	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	附带限流功能的小型４脚ＤＩＰ的Photo MOS	DIP4	75mW
AQY210HLAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	附带限流功能的小型４脚ＤＩＰ的Photo MOS	DIP4	75mW
AQY211EH	-40℃～+100℃	5000V AC	Through Hole	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS	DIP4	75mW
AQY211EHA	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS	DIP4	75mW
AQY211EHAZ	-40℃～+100℃	5000V AC	Surface-Mount	实现了经济价格的小型４脚ＤＩＰ低成本Photo MOS	DIP4	75mW
AQY212G2S	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	在高容量型4脚SOP尺寸上实现了1.25A负载电流的通断	SOP4	75mW
AQY212G2SX	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	在高容量型4脚SOP尺寸上实现了1.25A负载电流的通断	SOP4	75mW
AQY212G2SZ	-40℃～+100℃	1500V AC	Surface-Mount	在高容量型4脚SOP尺寸上实现了1.25A负载电流的通断	SOP4	75mW

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